noise 計算

關注頻率 = x1 ~ x3
fliker noise corner = x2

noise floor = y1


total noise in band = x3*y1+x2*y1 ln(x2/x1)

Vdsat、Vov、Vds联系与区别

Vdsat、Vov、Vds联系与区别

 (2012-10-22 17:23:52)

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标签：  杂谈

分类： IC设计

Vov：过驱动电压overdrive voltage，Vov=Vgs-Vth，过驱动电压也用Vod表示
Vdsat:饱和漏源电压或夹断时漏源电压（刚出现夹断）saturation drain voltage
在长沟道下，vdsat=vgs-vth=vov，在短沟道下，由于二阶效应，vdsat小于vgs-vth，但这个值，spice也好，spectre也好，都是用来判断管子工作区间的。
vds>vdsat管子工作在饱和区
vds

Vov=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vov=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。（长沟道器件）

但是考虑到短沟道效应的模型里，沟道里的多子因为速度饱和效应（Velocity saturation），Vds不需要到达Vov，只要到达Vdsat，Ids就会饱和，不会再上升。但是此时在物理上，沟道并未达到Pinch- off，直到Vds=Vov，沟道的Pinch-off现象才会出现。也就是说在短沟道模型中，器件在沟道Pinch-off之前就会达到速度饱和，电流 不会再增加（短沟道器件）

Vds-Vdsat要留一定余量，一般200mv，差分输入对一般为100多mv，一般来说vdsat<50mV管子基本就工作在线性区；一是怕管子由于工艺进入线性区；二是饱和区边缘rds较小。

OD Space Effect (OSE)

http://www.bubuchen.com/2016/03/od-space-effect-ose.html

LDO設計

http://allenluadvance.blogspot.tw/2009/05/ldo-regulator.html

hds 回貼參數

Hierarchy navi=> tool=> Create Back annotation

lib檔 打包呼叫

建立 lib.usage檔

.lib tt_lib

.lib 'path' TT
.lib 'path' TT_RES
.lib 'path' TT_3V
.lib 'path' TT_BIP3

.endl tt_lib


.lib ss_lib

.lib 'path' SS
.lib 'path' SS_RES
.lib 'path' SS_3V
.lib 'path' SS_BIP3

.endl ss_lib

在sp檔中
.lib 'lib.usage' tt_lib

常用的量測指令

.option probe=1       **只儲存 probe plot print 的值
.tran 1u 1m sweep temp poi 3 -40 25 125
.tran 1u 1m sweep temp -40 25 5
.probe tran I(xi1.net1)
.probe tran V(xi1.net1)
.print lx4(xi1.M1) **drin current
.print tran out_diff=par('v(outp)-v(outn)')
.probe v(*) LEVEL=1
.probe v(*) LEVEL=0 *top cell